冷等静压法是将预先成型的素坯放入橡胶包套内浸于高压液体下使之承受各向同性的压力，实现素坯密度的强化。冷等静压只是获得密度尽可能高的素坯，使素坯的烧结致密化更为容易。由于冷等静压不具有热等静压的烧结能力，需要独立的烧结工艺对素坯进行烧制。冷等静压能够压制大尺寸的靶材，是目前多数企业优先选择的成型方法。国内外的成型研究表明，冷等静压法可以制备出满足陶瓷靶材所需的高品质素坯。但冷等静压成型超大尺寸的素坯时，由于受到腔室尺寸的限制，会导致设备投资非常昂贵，而且在素坯较薄、尺寸较大时存在变形问题。同时，压制不一样的尺寸的素坯时，需要制备不一样的规格的预压模具，模具成本较高。
热等静压法是将粉末或预先压成的素坯装入包套后，再将套内抽真空焊接密封，放入高压容器内，使粉末在高温及等方压力下烧结，成型和烧结一起进行 。在ITO靶材的发展中，早期采用的热等静压技术难以获得高密度、大尺寸的材料。随着常压烧结方法的出现，热等静压法制备的靶材尺寸偏小、密度偏低、失氧率高且该方法设备偏贵、成本偏高的缺点，使热等静压法在ITO陶瓷靶材的制备上不再具备竞争优势，后续的研究和产业化逐渐被产业界淡化，但是比较适合需要缺氧的陶瓷靶材 。
靶材是制备薄膜的主要材料之一，主要使用在于集成电路、平板显示、太阳能电池、记录媒体、智能玻璃等，对材料纯度和稳定能力要求高。溅射靶材的工作原理：溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体即为溅射靶材。靶材发展的新趋势是：高溅射率、晶粒晶向控制、大尺寸、高纯金属。
常用的成型方法有干压成型、冷等静压成型等。冷等静压成型由于具有坯体密度高而且均匀，磨具制作方便，成本较低等优点，故而成为最常用的成型方法。陶瓷靶材的烧结常采用常压烧结、热压烧结及气氛烧结等方法。
（1）纯度：陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大，纯度越高，溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好。几年来，随微电子产业的发展，对成膜面积的薄膜均匀性要求十分严格，其纯度必须大于4N。平面显示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的纯度都大于4N。
（2）密度：为减少陶瓷靶材的气孔，提高薄膜性能，要求溅射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密实，溅射颗粒的密度月底，放电现场就越弱，薄膜的性能也越好。
（3）成分与结构均匀性：为保证溅射薄膜均匀，尤特在复杂的大面积镀膜应用中，必须做到靶材成分与结构均匀性好。
